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机构
上海光学精密机械研究... [4]
上海微系统与信息技术... [3]
微电子研究所 [2]
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
学位论文 [6]
期刊论文 [5]
发表日期
2015 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [4]
2005 [1]
2004 [1]
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学科主题
光学材料;晶体 [2]
半导体材料 [2]
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新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015
作者:
安平博
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/12/02
非晶玻璃衬底
GaN
AlN
石墨烯
选区生长
溅射
生长机制
非晶玻璃衬底
Gan
Aln
石墨烯
选区生长
溅射
生长机制
硅衬底氮化镓材料制备生长研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
冯玉霞
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/06/02
Si衬底
AlN
GaN
生长机制
应力
硅基微结构上的GaN外延生长研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
王曦
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2012/03/06
硅基微结构
GaN
热应力
SOI
柔性衬底
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007
孙佳胤
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2012/03/06
GaN
SOI
MOCVD
柔性衬底
GaN基器件衬底材料β-Ga2O3单晶生长及性质研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007
作者:
张俊刚
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浏览/下载:321/0
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提交时间:2016/11/28
GaN 衬底
β-Ga2O3
浮区法
LiGaO2/β-Ga2O3 复合衬底
一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1984-1988
作者:
刘新宇
;
刘丹
;
陈晓娟
;
刘果果
;
和致经
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan
Hemt
模型
膝点电压
衬底
MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:
李晋闽
;
王占国
;
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan
高电子迁移率管
Mocvd
功率器件
碳化硅衬底
宽禁带半导体衬底材料及ZnO薄膜的制备研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2006
作者:
刘世良
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/11/28
GaN
ZnO
复合衬底
LiGaO2
LiAlO2
气相传输平衡(VTE)
气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2006, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1424, 1428
张俊刚
;
夏长泰
;
吴锋
;
裴广庆
;
李抒智
;
徐军
;
周圣明
;
邓群
;
徐悟生
;
史宏声
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浏览/下载:955/185
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提交时间:2009/09/24
薄膜光学
复合衬底
GaN外延膜
气相传输平衡技术
β-Ga2O3单晶
LiGaO2薄膜
色心
c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO_2层质量的影响(英文)
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 833, 837
彭观良
;
李抒智
;
庄漪
;
邹军
;
王银珍
;
刘世良
;
周国清
;
周圣明
;
徐军
;
干福熹
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浏览/下载:1855/256
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提交时间:2009/09/24
白宝石
γ-LiAlO2
气相传输平衡
GaN
衬底