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内容类型

• 期刊论文 [39]
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发表日期

• 2019 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Chen, Yongbo;  Jia, Shasha;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2019/12/31 Epitaxial growth  SrTiO3  GaN  TiN buffer layer  Pulsed laser deposition   High-performance BiFe0.95Mn0.05O3 ferroelectric film epitaxially integrated on GaN substrate with LSMO/TiO2 bi-layer buffer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 193, 页码: 240-243 作者:  Xu, Leilei;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Xu, Xiaoke;  Qin, Meng 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/05/15 Ferroelectrics  Bismuth ferrite  Bi-layer buffer  Epitaxial growth  GaN integration   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：139/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Strain status in zno film on sapphire substrate with a gan buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno film  Strain status  Gan buffer layer  Sapphire  Mvpe   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 Cui JP; Duan Y; Wang XF; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：231/122  |  提交时间：2010/03/08 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 15-19 Lin, CT; Yu, GH; Lei, BL; Wang, XZ; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  GROWTH  DEPOSITION  MORPHOLOGY  EVOLUTION  SAPPHIRE   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI   Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 growth mode  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  indium nitride  X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  ELECTRON-TRANSPORT  BUFFER LAYER  THIN-FILMS  GAN FILMS  SAPPHIRE  ALN