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浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Efficient Carrier Recombination in InGaN Pyramidal mu-LEDs Obtained through Selective Area Growth 期刊论文  OAI收割 PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 5 作者:  Jiang, Jie'an;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yan, Long;  Hoo, Jason   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/01 LIGHT-EMITTING-DIODES  GAN NANOWIRES  MODE  NANOROD  LUMINESCENCE  MORPHOLOGY  NONPOLAR  ARRAYS  LASERS  LAYER   Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342 作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Kuang-hui   |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2020/12/16 LIGHT-EMITTING-DIODES  GAN GROWTH  PARAMETERS  WATER   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9 作者:  H.P.Hu;  S.J.Zhou;  H.Wan;  X.T.Liu;  N.Li   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/08/24 light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics   Enhanced Light Extraction of Flip-Chip Mini-LEDs with Prism-Structured Sidewall 期刊论文  OAI收割 Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 8 作者:  B.Tang;  J.Miao;  Y.C.Liu;  H.Wan;  N.Li   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/08/24 flip-chip mini-LED,prism-structured sidewall,waveguide photons,light,extraction,emitting-diodes,gan,efficiency,performance,improvement,surface,Science & Technology - Other Topics,Materials Science   Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792 作者:  Liu, Ningyang;  Wang, Lei;  Song LG(宋力刚);  Cao XZ(曹兴忠);  Wang BY(王宝义)   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/10/11 Atom displacement  carrier removal effect  carrier ultrafast dynamics  GaN  indium localization  light-emitting diodes (LEDs)  nonradiative recombination centers (NRCs)  positron annihilation spectroscopy (PAS)  silicon ion irradiation  strain relaxation   Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-organic heterostructures 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 3 作者:  Bo, Baoxue;  Li, Junmei;  Guo, Wei;  Jiang, Jie'an;  Gao, Pingqi   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/12/04 Light-emitting-diodes  Single-crystal Gan  Thin-films  Photodetectors  Heterojunction   Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文  OAI收割 Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704 作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics   The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728 作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning