机构

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• OAI收割 [43]

内容类型

• 期刊论文 [38]
• 会议论文 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [2]
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学科主题

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• 半导体物理 [10]
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浏览/检索结果: 共43条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 6, 6, 页码: article no.125, Article no.125 作者:  Xu PF;  Lu J;  Chen L;  Yan SA;  Meng HJ   |  收藏  |  浏览/下载：47/1  |  提交时间：2011/07/05 MAGNETIC-PROPERTIES  GAAS(001)  FILMS  ORDER  NANOCLUSTERS  EPITAXY  Magnetic-properties  Gaas(001)  Films  Order  Nanoclusters  Epitaxy   Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/3  |  提交时间：2011/07/05 INAS QUANTUM DOTS  GAAS(001)  RELAXATION  TRANSITION  GAAS   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 1 Shen, QT; Li, WJ; Dong, GC; Sun, GF; Sun, YJ; Ma, XC; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/24 GROWTH  ISLANDS  SI(111)  ARRAYS  NANOSTRUCTURES  SI(001)  GAAS  GE   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 78, 期号: 7 Yang, SY; Zhang, LX; Chen, H; Wang, EG; Zhang, ZY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  AUGMENTED-WAVE METHOD  GAAS(110) SURFACE  GAAS(001) SURFACES  MOLECULAR-DYNAMICS  INAS(110) SURFACE  SCHOTTKY-BARRIER  ATOMIC-STRUCTURE  INGAAS ALLOYS  CS   Surface reconstructions and the local magnetic moments in Mn/GaAs(001) system 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 142 Zhang, LX; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 SEMICONDUCTORS  GAAS(001)  MODEL   Two-dimensional growth of Fe thin films with perpendicular magnetic anisotropy on GaN(0001) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 23 He, K; Ma, LY; Ma, XC; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SPIN INJECTION  SURFACE  RECONSTRUCTIONS  SEMICONDUCTOR  INTERFACE  GAAS(001)  EVOLUTION  BARRIER   Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319 Zhou WM; Wang CY; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  strain and stress distribution  strain energy  finite element method  ISLANDS  GROWTH  GAAS  GAAS(001)  EVOLUTION   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM