机构

• 半导体研究所 [6]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2010 [1]
• 2003 [2]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1997 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs monolayer: Excellent SHG responses and semi metallic to metallic transition modulated by vacancy effect 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 441, 期号: 5, 页码: 401-407 作者:  Rozahun, I (Rozahun, Ilmira);  Bahti, T (Bahti, Tohtiaji);  He, GJ (He, Guijie);  Ghupur, Y (Ghupur, Yasenjan);  Ablat, A (Ablat, Abduleziz)   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/05/07 First-principles Calculation  Gaas Monolayer  Shg Response  Vacancy   Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2010, 2010, 卷号: 42, 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600, 1597-1600 作者:  Li T;  Zhang XH;  Zhu YG;  Huang X;  Han LF   |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/04/28 Ultrathin InAs monolayer  Ultrathin Inas Monolayer  Hole Spin Relaxation  Dp Mechanism  Semiconductor Quantum Dots  Wells  Gaas  Hole spin relaxation  DP mechanism  SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  WELLS  GAAS   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：298/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Photoluminescence study of InAlAs quantum dots grown on differently oriented surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 21-24 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION  MONOLAYER COVERAGE  GAAS  INAS  INGAAS  TEMPERATURE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION   Effective-mass theory for InAs/GaAs strained superlattices 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica-overseas edition, 1997, 卷号: 6, 期号: 11, 页码: 848-860 Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/11/17 INAS MONOMOLECULAR PLANE  MONOLAYER QUANTUM-WELLS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  OPTICAL-TRANSITIONS  VALENCE BANDS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURES