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浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/10/08 GaN  HEMT  Swift heavy ion  Latent track  Electrical characteristics   大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2017 刘波亭 收藏  |  浏览/下载：123/0  |  提交时间：2017/06/05 GaN  Si  应变  HEMT  迁移率   GaN HEMT 基础问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 何晓光 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2016/06/02 GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻   Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749 作者:  Cai, Y(蔡勇);  Zhao, DS(赵德胜);  Qin, H(秦华);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2013/12/30 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219 作者:  Zeng, CH(曾春红);  Zhang, BS(张宝顺);  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/01/13 AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Threshold voltage’s dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3-4 作者:  Hua Qin（秦华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Baoshun Zhang (张宝顺) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage   Enhancement-Mode InAlN/GaN MISHEMT with Low Gate Leakage Current 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Zhang BS(张宝顺);  Cai Y(蔡勇);  Ceng CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/01/22 enhancement-mode  InAlN/GaN HEMT  threshold voltage  thermal oxidation  gate leakage   无栅AlGaN/GaN HEMT生物传感器的制作及其性能测量 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 薛伟 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/09/11 AlGaN/GaN HEMT 生物传感器 表面修饰 封装 比接触电阻率 探测极限   基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的太赫波探测器件的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  孙云飞 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2012/09/11 AlGaN/GaN HEMT 太赫兹探测器 三极子碟形共振天线 二维电