机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [2]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：180/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974 Han, PD; Wang, ZG; Duan, XF; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：83/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478 Yang, HF; Han, PD; Cheng, LS; Zhang, Z; Duan, SK; Teng, XG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION