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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/01/10 SiGe HBTs  Oxide isolation  ELDRS  EHPs generation  Holes trapping  Protons transportation   Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3 作者:  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2016/12/12 SiGe HBTs  TID  ELDRS  annealing   Study on mg memory effect in npn type algan/gan hbt structures grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mg memory effect  Redistribution  Algan/gan hbts  Mocvd   InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 20-23 Ai, LK; Xu, AH; Sun, H; Zhu, FY; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 HBTS   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   InGaAs/InP heterostructural materials for opto-electronic integrated circuit receiver application grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S229-S232 Chen, XJ; Xu, AH; Ai, LK; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  HBTS   GSMBE grown In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with heavily beryllium doped base and undoped Spacer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 352-356 Chen, XJ; Li, AZ; Chen, JX; Chen, YQ; Yang, QK 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 CURRENT TRANSPORT  RECOMBINATION  ALGAAS/GAAS  HBTS  EMITTER   High current gain In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with double spacers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 915-917 Chen, XJ; Chen, JX; Chen, YQ; Peng, P; Yang, QK; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 CURRENT TRANSPORT  GAAS BASE  HBTS  RECOMBINATION  ALGAAS/GAAS  EMITTER