机构

• 半导体研究所 [16]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [13]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [3]
• 2000 [5]
• 1999 [7]

学科主题

• 半导体材料 [8]
• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 First and second order Raman scattering spectroscopy of nonpolar a-plane GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 10, 页码: art.no.103533 Gao HY (Gao Haiyong); Yan FW (Yan Fawang); Zhang HX (Zhang Huixiao); Li JM (Li Jinmin); Wang JX (Wang Junxi); Yan JC (Yan Jianchang) 收藏  |  浏览/下载：138/0  |  提交时间：2010/03/29 HEXAGONAL GAN   Transmission electron microscopy and atomic force microscopy studies of GaN films grown on AlAs/GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 252, 期号: 4, 页码: 517 Hu, GQ; Wan, L; Duan, XF; Chen, H; Li, DS; Han, YJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  NUCLEATION  GAAS   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (001) GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 390 Liu, HF; Chen, H; Wan, L; Li, ZQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  LIGHT-EMITTING DIODES  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  HETEROSTRUCTURE   Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：120/12  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  GAAS   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：105/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 作者:  Sun, XL;  Wang, YY;  Yang, H;  Li, JB;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan  Hexagonal phase content  4-circle x-ray double crystal diffraction   Initial stages of gan/gaas (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic gan  Hexagonal gan  Buffer layer  Afm  Rheed   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS