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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlN厚膜单晶材料HVPE制备技术研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 韩东岳 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2016/06/03 AlN  HVPE  应力  流场   蓝宝石衬底氮化铝材料HVPE生长研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 孔苏苏 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/06/02 氮化铝 HVPE 应力   Progress in bulk GaN growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16 作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 nitride semiconductor  bulk GaN  hydride vapor phase epitaxy (HVPE)  dislocation   Evolution of the surface morphology of AlN epitaxial film by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 100-104 作者:  Gong, XJ(弓晓晶);  Xu, K(徐科);  Huang, J(黄俊);  Liu, T;  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2015/01/16 Surface morphology  AlN  AFM  HVPE   Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, MATERIALS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 68, 68, 页码: 327-330, 327-330 作者:  Wei, TB;  Chen, Y;  Hu, Q;  Yang, JK;  Huo, ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/04/08 HVPE  GaN  CsCl  Nano-island  HVPE  GaN  CsCl  Nano-island   GaN 一维材料的生长与表征 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 王志高 收藏  |  浏览/下载：200/0  |  提交时间：2012/09/10 HVPE GaN 纳米材料 催化剂 VLS VS 电子显微术 阴极荧光光   GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究 期刊论文  OAI收割 光电子.激光, 2011, 期号: 04 王新中; 于广辉; 李世国 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/04/13 GaN  阳极Al2O3(AAO)  纳米点阵  氢化物气相外延(HVPE)   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：176/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Freestanding thick films  Stress release  Photoluminescence