机构

• 半导体研究所 [6]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [2]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  SURFACES  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  MIGRATION  ARRAYS   Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 78, 期号: 7 Yang, SY; Zhang, LX; Chen, H; Wang, EG; Zhang, ZY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  AUGMENTED-WAVE METHOD  GAAS(110) SURFACE  GAAS(001) SURFACES  MOLECULAR-DYNAMICS  INAS(110) SURFACE  SCHOTTKY-BARRIER  ATOMIC-STRUCTURE  INGAAS ALLOYS  CS   Evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: art.no.071903 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：564/12  |  提交时间：2010/04/11 GROWTH  INAS  GAAS  SURFACES   As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/04/11 RAY-PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  INAS SURFACES  FABRICATION  DEPOSITION  LAYERS  OXIDE   Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2003, 卷号: 68, 期号: 16 Cao, YG; Xie, MH; Liu, Y; Xu, SH; Ng, YF; Wu, HS; Tong, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 ASSEMBLED QUANTUM DOTS  STEP-FLOW GROWTH  SIZE  SURFACES  STRAIN  HETEROEPITAXY  HOMOEPITAXY  MORPHOLOGY  DEPOSITION  INAS   Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：110/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  MONOLAYER COVERAGE  SELF-ORGANIZATION  ROOM-TEMPERATURE  SURFACES