机构

• 上海微系统与信息技术... [5]
• 上海应用物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2018 [2]
• 2010 [1]
• 2001 [5]

学科主题

• Physics, A... [4]
• Engineerin... [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Helium ion irradiation-induced microstructure evolution on the surfaces of thin nickel foils 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 428, 期号: -, 页码: 24-29 作者:  Gao, J;  Huang, HF;  Liu, X;  Ou, X;  Wang, WX   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/17 BEAM-INDUCED SURFACE  IMPLANTATION  EXFOLIATION  TUNGSTEN  SINGLE  MODEL   Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 19, 页码: 194101-194101 Di, ZF; Huang, MQ; Wang, YQ; Nastasi, M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 SINGLE-CRYSTAL SILICON  INDUCED PLATELETS  IMPLANTATION  SI  TEMPERATURE  EXFOLIATION  COMPLEXES  FLUENCE  CUT   Defect and strain in hydrogen and helium coimplanted single-crystal silicon 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5-11 Duo, XZ; Liu, WL; Xing, S; Zhang, M; Fu, XR; Lin, CL; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED EXFOLIATION  MECHANISM  CAVITIES  AU   Comparison between the different implantation orders in H+ and He+ coimplantation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 477-482 Duo, XZ; Liu, WL; Zhang, MA; Wang, LW; Lin, CL; Okuyama, M; Noda, M; Cheung, WY; Chu, PK; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 POSITRON-ANNIHILATION  INDUCED DEFECTS  SILICON  EXFOLIATION  MECHANISM  CAVITIES  AU   Defects and strain in H+ and He+Co-implanted silicon 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 2001, 页码: 650-654 Lin, CL; Duo, XZ; Zhang, M 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED EXFOLIATION  INSULATOR   Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 3780-3786 Duo, XH; Liu, WL; Zhang, M; Wang, LW; Lin, CL; Okuyama, M; Noda, M; Cheung, WY; Wong, SP; Chu, PK; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED EXFOLIATION  INDUCED DEFECTS  COIMPLANTATION  MECHANISM  CAVITIES  AU   Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 11 part.1., 页码: 6551-6553 作者:  Han WH 收藏  |  浏览/下载：121/16  |  提交时间：2010/08/12 INDUCED EXFOLIATION