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内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Research on the effect of nitrogen implantation doses on the structure of separation by implantation of oxygen and nitrogen 期刊论文  OAI收割 SMART MATERIALS & STRUCTURES, 2005, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: N42-N45 Zhang, EX; Yi, WB; Chen, J; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  BURIED LAYERS  SILICON   Structure characterization and photon absorption analysis of carbon-doped beta-FeSi2 film 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2473 Li, XN; Nie, D; Dong, C; Xu, L; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING BETA-FESI2  SI(100)  EPITAXY  SI(001)  FESI2   Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2004, 卷号: 58, 期号: 3-4, 页码: 465-469 Xie, XY; Lin, Q; Liu, WL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  NITRIDE   Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 336, 期号: 3-4, 页码: 344-348 Xie, XY; Liu, WL; Lin, Q; Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  NITRIDE   A comparative study on microstructures of beta-FeSi2 and carbon-doped beta-Fe(Si,C)(2) films by transmission electron microscopy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2002, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 47 Li, XN; Nie, D; Dong, C 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING FESI2  THIN-FILMS  DISILICIDE  DEPOSITION   Influence of the addition of Co and Ni on the formation of epitaxial semiconducting beta-FeSi2: Comparison of different evaporation methods 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4193-4201 Mangelinck, D; Wang, L; Lin, C; Gas, P; Grahn, J; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/25 ION-BEAM SYNTHESIS  SOLID-PHASE EPITAXY  THIN-FILM FORMATION  OPTICAL-PROPERTIES  IRON SILICIDES  ELECTRONIC-STRUCTURE  SILICON  COBALT  GROWTH  IMPLANTATION   Continuous CoSi2 layers in silicon synthesized by Co-ion implantation 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 1997, 卷号: 32, 期号: 2-3, 页码: 121-126 J. Z. Zhang; X. Y. Ye; J. Chang; S. Bernard 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 silicide  cobalt  CoSi2  ion implantation  buried cosi2  beam synthesis  beta-fesi2  growth