机构

• 上海微系统与信息技术... [3]
• 国家天文台 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2010 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 0914001 作者:  安宁;  韩兴伟;  刘承志;  范存波;  董雪   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/06 半导体激光器  InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱  双波导结构  低垂直发散角  数值模拟   Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |  浏览/下载：188/19  |  提交时间：2010/09/20 OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION  DISPERSION-RELATIONS  CARRIER MOBILITIES  PHASE EPITAXY  DOPED GAAS  DEVICES  GASB  INP  ALXGA1-XAS  INGAASSB   密封AA型双电层超电容的研制 期刊论文  OAI收割 电池, 2004, 期号: 01 张熙贵; 解晶莹; 马丽萍; 夏保佳; 王涛; 钦佩 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 InGaAsSb  AlGaAsSb  应变   新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性 期刊论文  OAI收割 同济大学学报(自然科学版), 2003, 期号: 03 门传玲; 徐政; 安正华; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 InGaAsSb  分子束外延  多量子阱  光致发光   半导体激光器性能表征及脉冲测量技术研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2002 南矿军   收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2012/03/06 半导体激光器:6562  脉冲测量:5654  性能表征:4015  技术研究:2094  多量子阱激光器:1161  脊波导:1018  InGaAsSb:787  脉冲驱动:737  InGaAsP:689  热特性参数:656