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发表日期

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 李慧梅 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2016/06/02 InGaAs/InP APD  InGaAs/InAlAs APD  增益  暗电流  击穿电压  扩散Zn掺杂   InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 期号: 12, 页码: 572-577 周守利; 杨万春; 任宏亮; 李伽 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/02/22 InAlAs/GaSbAs  InP/GaSbAs  Ⅱ型双异质结双极晶体管   Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 12, 页码: 128501 Zhou, SL; Wan-Chun, Y; Hong-Liang, R; Jia, L 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/04/17 InAlAs/GaSbAs  InP/GaSbAs  II-type DHBT   截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867 作者:  徐静波;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 截止频率  高电子迁移率晶体管  Ingaas/inalas Inp   Shape and spatial correlation control of InAs-InAlAs-InP(001) nanostructure superlattices 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.063114 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 VERTICAL SELF-ORGANIZATION  QUANTUM WIRES  SURFACE  GROWTH  ALLOY  INALAS/INP(001)  NANOWIRES  INP(001)  ISLANDS  ARRAYS   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Inas nanostructure grown with different growth rate in inalas matrix on inp (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2004, 卷号: 23, 期号: 1-2, 页码: 31-35 作者:  Zhao, FA;  Wu, J;  Jin, P;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas  Inalas/inp  Quantum dots  Quantum wires  Polarized photoluminescence   Defects and morphologies in in0.8ga0.2as/inalas/inp(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 Defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 页码: 147-152 作者:  Wu, J;  Lin, F 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 In0.8ga0.2as/inalas/inp  Misfit dislocations  Surface morphology   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS