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机构
上海微系统与信息技... [11]
微电子研究所 [8]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [20]
内容类型
期刊论文 [15]
学位论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [3]
2007 [2]
2006 [5]
2004 [7]
2003 [2]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [1]
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InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 3,2098-2100
作者:
陈延湖
;
申华军
;
王显泰
;
陈高鹏
;
刘新宇
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提交时间:2010/05/27
Ingap/gaas Hbt
功率合成
混合集成电路
功率放大器
离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 期号: 04
刘成
;
曹春芳
;
劳燕锋
;
曹萌
;
吴惠桢
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提交时间:2012/01/06
湿法腐蚀
GaAs
InGaP
柠檬酸
新型结构HBT设计与材料生长研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
艾立鹍
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2012/03/06
异质结双极晶体管(HBT)
气态源分子束外延(GSMBE)
GaAs
InP
InGaP
InGaAs
InGaAsP
发射极空气桥 InGaP/GaAsHBT的DC和RF特性分析
期刊论文
OAI收割
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,1_4
作者:
吴德馨
;
申华军
;
葛霁
;
杨威
;
陈延湖
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas发射极空气桥互连
InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007
林玲
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/03/06
异质结双极晶体管(HBT)
InGaP/GaAS
压控振荡器(VCO)
C波段3.5W/mm,PAE〉40%的InGaP/GaAs HBT功率管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1612-1615
作者:
严北平
;
吴德馨
;
申华军
;
陈延湖
;
葛霁
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提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas
异质结双极晶体管
功率管
4GHz 300 mW InGaP/GaAs HBT功率管研制
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 12-14
作者:
申华军
;
樊宇伟
;
葛霁
;
刘新宇
;
和致经
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/05/26
咱对准
Gaas
Ingap
功率异质结双极晶体管
MEMS微型质子交换膜燃料电池的阴极极板模型研究与优化设计
期刊论文
OAI收割
传感技术学报, 2006, 期号: 05
董培涛
;
李昕欣
;
陈聪
;
夏保佳
;
王跃林
;
封松林
;
李圣怡
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提交时间:2012/01/06
异质结双极晶体管
InGaP/GaAs
微波单片集成电路
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究
会议论文
OAI收割
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006
齐鸣
;
徐安怀
;
艾立鹍
;
孙浩
;
朱福英
收藏
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提交时间:2012/01/18
InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料 外延生长
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 期号: 06
王闯
;
钱蓉
;
孙晓玮
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提交时间:2012/01/06
异质结双极晶体管(HBT)
InGaP/GaAs
阻挡层
离子注入