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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Intersubband absorption properties of high al content alxga1?xn/gan multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Sun,He Hui;  Guo,Feng Yun;  Li,Deng Yue;  Wang,Lu;  Wang,Dong Bo 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/05/09 Quantum wells  Interface  Intersubband  Tem  Pacs  61.72.lk  61.05.cp  68.37.-d  61.72.uj   Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Zhao, DG; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 INCLINED THREADING DISLOCATIONS  INTERSUBBAND TRANSITIONS  RELAXATION  LAYERS   Nonlinear optical behavior of a four-level quantum well with coupled relaxation of optical and longitudinal phonons 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW A, 2011, 卷号: 84, 期号: 3 Luo, XQ; Wang, DL; Zhang, ZQ; Ding, JW; liu, WM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 ELECTROMAGNETICALLY INDUCED TRANSPARENCY  INTERSUBBAND TRANSITIONS  SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES  PHASE GATE  LIGHT  INTERFERENCE  INVERSION  COHERENCE  PULSES   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 作者:  Zhang SM;  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/01/15 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Many-body effects on terahertz quantum well detectors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 20, 页码: 201101-201101 Guo, XG; Tan, ZY; Cao, JC; Liu, HC 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2011/11/03 INTERSUBBAND ABSORPTION  PHOTODETECTORS  DEPOLARIZATION  PHOTOCURRENTS  TECHNOLOGY   Study of valence intersubband absorption in tensile strained si/sige quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 作者:  Lin Gui-Jiang;  Lai Hong-Kai;  Li Cheng;  Chen Song-Yan;  Yu Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Si/sige  Tensile strain  Effective mass  Valence intersubband transition   Simulation of photocurrents of terahertz quantum-well photodetectors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1895-1897 Xiong, F; Guo, XG; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/11/03 INTERSUBBAND ABSORPTION   Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: art. no. 035011 Jiang LG; Kai LH; Cheng L; Yan CS; Zhong YJ 收藏  |  浏览/下载：84/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION   The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：59/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 8, 页码: 5232-5236 Shang, LY; Lin, T; Zhou, WZ; Li, DL; Gao, HL; Zeng, YP; Guo, SL; Yu, GL; Chu, JH 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 two-dimensional electron gas  positive magnetoresistance  intersubband scattering