机构

• 半导体研究所 [7]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [3]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 First principle study of Mg, Si and Mn co-doped GaN 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：241/44  |  提交时间：2010/03/08 Mg Si and Mn co-doped GaN  electronic structure  T-C  optical properties   First principle study of mg, si and mn co-doped gan 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458 作者:  Xing Hai-Ying;  Fan Guang-Han;  Zhang Yong;  Zhao De-Gang 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Mg, si and mn co-doped gan  Electronic structure  T(c)  Optical properties   Structure and characterization of mg-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Acta physico-chimica sinica, 2009, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 113-115 作者:  Xue Cheng-Shan;  Zhang Dong-Dong;  Zhuang Hui-Zhao;  Huang Ying-Long;  Wang Zou-Ping 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Nanowires  Single crystal  Mg-doped   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：62/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Electroluminescence of an n-ZnO/p-GaN heterojunction under forward and reverse biases 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 2298 Qin, Q; Guo, LW; Zhou, ZT; Chen, H; Du, XL; Mei, ZX; Jia, JF; Xue, QK; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MG-DOPED GAN  DETECTED MAGNETIC-RESONANCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  FABRICATION  BAND  DEPENDENCE   Raman scattering and photoluminescence studies of Er-implanted and Er+ O coimplanted GaN 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4930 Song, SF; Chen, WD; Zhang, CG; Bian, LF; Hsu, CC; Ma, BS; Li, GH; Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 DOPED GAN  MG  ERBIUM   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER   Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Liu XL; Yuan HR; Lu DC; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 Mg-doped  AlGaN/GaN superlattices  resistivity  hole concentration  POLARIZATION