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浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440 作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/08/24 Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   High-performance BiOBr ultraviolet photodetector fabricated by a green and facile interfacial self-assembly strategy 期刊论文  OAI收割 nanoscale, 2014, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 145-150 Xu, Zhikun; Han, Lei; Lou, Baohua; Zhang,Xiaowei; Dong,Shaojun 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/03/26 P-I-N  NANOFILM PHOTODETECTORS  FILMS  GAN  PHOTORESPONSE  PHOTOCATALYST  MICROSPHERES  DETECTORS  SNO2   GaN-based p–i–n X-ray detection 期刊论文  OAI收割 Phys. Status Solidi A, 2012, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 204-206 作者:  Kai Fu(付凯) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN  p–i–n X-ray detection  photoconductive  photovoltaic   Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828 J. C. Sun; Q. J. Feng; J. M. Bian; D. Q. Yu; M. K. Li; C. R. Li; H. W. Liang; J. Z. Zhao; H. Qiu; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/04/13 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD  chemical-vapor-deposition  zinc-oxide  n-zno  nitrogen  films  fabrication  substrate   PEDOT:PSS Schottky contacts on annealed ZnO films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4 Zhu, YB; Hu, W; Na, J; He, F; Zhou, YL; Chen, C 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/24 N-GAN  ALGAN/GAN  INSERTION  DIODE