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Physics [1]
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共15条,第1-10条
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An expression for oscillation amplitude of NMOS/PMOS complementary cross-coupled LCtank oscillator
会议论文
OAI收割
Xi'an, China, 2019-6-12-2019-6-14
作者:
Feng Zhang
;
Chunyu Ma
;
Ting Zhao
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/10/08
Nmos/pmos Complementary Cross-coupled
Lc-tank Oscillator
Oscillation Amplitude
Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13
作者:
Wu Xue
;
Lu Wu
;
Wang Xin
;
Xi Shan-Bin
;
Guo Qi
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2013/11/07
0.18 mu m
narrow-channel NMOS transistor
60Co gamma
RINCE
基于DSP的光电探测器数据采集
期刊论文
OAI收割
合肥工业大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 034
-
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/10/26
TMS320F2812
NMOS线阵探测器
A/D转换
数据采集
先进集成电路中静电保护设计的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009
单毅
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2012/03/06
静电放电
复合型
NMOS
可控硅整流器
全芯片保护
源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6,1007-1012
作者:
韩郑生
;
宋文斌
;
许高博
;
曾传滨
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/05/27
绝缘体上硅soi
Esd
源漏硅化物
二次击穿
导通电阻
栅接地nmos器件
双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 35-40
作者:
毕津顺
;
吴峻峰
;
海潮和
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提交时间:2010/05/26
双栅结构
动态阈值
全耗尽绝缘体上硅
Nmos场效应晶体管
高压nMOS器件的设计与研制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6,1489-1494
作者:
韩郑生
;
杜寰
;
宋李梅
;
李桦
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提交时间:2010/05/26
高压nmos器件
模拟
制造
SOI射频集成器件研制
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 6,177-182
作者:
杨荣
;
李俊峰
;
钱鹤
;
韩郑生
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提交时间:2010/05/26
射频 绝缘硅 Ldmos Nmos 电感 结构 制造
一种新的SOI射频集成电路结构与工艺
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 569-571
作者:
韩郑生
;
杨荣
;
李俊峰
;
钱鹤
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/05/26
Soi工艺
射频集成电路
Ldmos
Nmos
掩模版
光刻
硅衬底
集成工艺
Cmos
有源
超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础
期刊论文
OAI收割
电子技术应用, 1991, 期号: 2, 页码: 37-40
刘以暠,冯世琴
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提交时间:2015/01/07
NMOS
场效应晶体管
场效应管
反相器
三态逻辑
强型
夹断电压
电路功能
自建电场
等离子体淀积