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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics   Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 6 作者:  Yang, J;  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/12/08 nitride materials  external quantum efficiency  polarization  p-type GaN resistivity   Tunable p-Type Conductivity and Transport Properties of AlN Nanowires via Mg Doping 期刊论文  OAI收割 Acs Nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 3591-3598 Y. B. Tang; X. H. Bo; J. Xu; Y. L. Cao; Z. H. Chen; H. S. Song; C. P. Liu; T. F. Hung; W. J. Zhang; H. M. Cheng; I. Bello; S. T. Lee; C. S. Lee 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 aluminum nitride  nanowire arrays  Mg doping  tunable p-type  conductivity  field-effect transistors  aluminum nitride nanotubes  molecular-beam epitaxy  field-emission  thin-films  growth  gan  arrays  nanostructures  stability  substrate   A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-gan active region 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260 作者:  Zhou Mei;  Zhao De-Gang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 P menus type gan  Ultraviolet photodetector  Quantum efficiency   A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-GaN active region 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260 Zhou M (Zhou Mei); Zhao DG (Zhao De-Gang) 收藏  |  浏览/下载：195/83  |  提交时间：2010/03/08 p menus type GaN   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   Au-Au wafer bonding in vertical-structure GaN LED fabrication 期刊论文  OAI收割 AD'07: Proceedings of Asia Display 2007, Vols 1 and 2, 2007, 页码: 1638-1641 Ou, X; Wang, X; Chen, J; Sun, JY; Lnu, AM; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  TEMPERATURE  CONTACTS  NM   Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492 Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD 收藏  |  浏览/下载：246/9  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  SUBSTRATE  VACANCIES  LAYER  BEAM  GAN