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上海微系统与信息技术... [4]
半导体研究所 [2]
微电子研究所 [1]
中国科学院大学 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2012 [3]
2008 [1]
2004 [3]
学科主题
Engineerin... [2]
Physics [1]
光电子学 [1]
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共8条,第1-8条
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Single-event transient characterization of a radiation-tolerant charge-pump phase-locked loop fabricated in 130 nm pd-soi technology
期刊论文
iSwitch采集
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 4, 页码: 2402-2408
作者:
Chen, Zhuojun
;
Lin, Min
;
Zheng, Yunlong
;
Wei, Zuodong
;
Huang, Shuigen
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/05/09
Heavy-ion testing
Pd-soi
Phase-locked loop
Pulsed-laser testing
Radiation hardening by design
Single-event transients
A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107
Luo, JX
;
Chen, J
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Zhou, JH
;
Yu, T
;
Dong, YJ
;
Li, L
;
Liu, W
;
Qiu, C
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/17
Body contact
floating-body effects (FBEs)
kink effect
linear kink effect (LKE)
partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)
SOI MOSFETs
tunnel diode
tunnel diode body contact (TDBC)
Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602
Luo, JX
;
Chen, J
;
Zhou, JH
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Wang, X
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/04/17
floating body effect
hysteresis effect
back gate bias
partially depleted (PD) SOI
Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67
Luo, JX
;
Chen, J
;
Zhou, JH
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Wang, X
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/17
Hysteresis
MOSFET
partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)
SOI technology
temperature
PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 6,817-822
作者:
范雪梅
;
毕津顺
;
刘梦新
;
杜寰
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提交时间:2010/05/27
Pd
Soi
Mosfet
低频噪声
浮体效应
前背栅耦合效应
SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2004
李文钧
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提交时间:2012/03/06
SOI
Spectroscopic Ellisometry
Effective Medium Approximation
roughness
ta-C
AFM
PD SOI MOSFET
Spiral Inductor
Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodiodes (RCE-PD)
会议论文
OAI收割
10th international autumn meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology (gadest 2003), berlin, germany, sep 21-26, 2003
Yu JZ
;
Li C
;
Cheng BW
;
Wang QM
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提交时间:2010/11/15
DBR (distributed bragg reflector)
MQW (multiple quantum wells)
optical fiber communication
photodiode
RCE-PD (resonant-cavity-enhanced photodiode)
responsivity
SiGe/Si
SOI
Long-wavelength sige/si mqw resonant-cavity-enhanced photodiodes (rce-pd)
期刊论文
iSwitch采集
Gettering and defect engineering in semiconductor technology, 2004, 卷号: 95-96, 页码: 255-260
作者:
Yu, JZ
;
Li, C
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/05/12
Dbr (distributed bragg reflector)
Mqw (multiple quantum wells)
Optical fiber communication
Photodiode
Rce-pd (resonant-cavity-enhanced photodiode)
Responsivity
Sige/si
Soi