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P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文  OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/03/09
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文  OAI收割
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
作者:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/06/14
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
作者:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/11/29
边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响 期刊论文  OAI收割
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003
作者:  吴峻峰;  李多力;  毕津顺;  薛丽君;  海潮和
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26
0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2080-2084
作者:  邵红旭;  孙宝刚;  吴峻峰;  钟兴华
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26
Simulation and comparison of MOS inversion layer quantum mechanics effects in SiGePMOSFET and SiPMOSFET 外文期刊  OAI收割
2004
作者:  Yang, R;  Luo, JS;  Tu, J;  Zhang, RZ
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 6，966-971
作者:  杨荣;  罗晋生
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/25