机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2007 [1]
• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [1]
• 1993 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [4]
• Materials ... [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Carrier conduction in heterojunction of hydrogenated nanocrystalline silicon with crystal silicon 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2007, 卷号: 515, 期号: 7-8, 页码: 3997-4003 Wei, WS; Xu, GY; Wang, TM; Shen, WZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 RESONANT-TUNNELING DIODES  AMORPHOUS-SILICON  GAP STATES  TRANSPORT  CAPACITANCE  BARRIER  DENSITY   A novel single-electron analog-to-digital converter 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 8, 页码: 2041 Zhang, ZY; Wang, TH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 RESONANT-TUNNELING DIODES   Multipeak negative-differential-resistance device by combining SET and MOSFET 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1766 Zhang, ZY; Wang, TH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/18 RESONANT-TUNNELING DIODES  SINGLE-ELECTRON  TRANSISTORS   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES   Electrical manifestation of the quantum-confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.113305 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：91/1  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT-TUNNELING DIODES  SPACER LAYERS  SPECTROSCOPY  DOTS  HETEROSTRUCTURES   Capacitance-voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 822-825 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT-TUNNELING DIODES  DOTS  HOLES   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY   ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 341-345 FENG SL; KRYNICKI J; ZAZOUI M; BOURGOIN JC; BOIS P; ROSENCHER E 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/11/15 RESONANT TUNNELING DIODES  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  QUANTUM-WELLS  ALGAAS GAAS  SUPERLATTICES  LAYERS