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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 109, 期号: 10 Hu, H; Gao, HJ; Liu, F 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 SELF-ASSEMBLED NANOHOLES  SURFACE-MORPHOLOGY  STRAINED ISLANDS  EVOLUTION  EPITAXY  STRESS  LAYERS  FILMS  SHAPE   Unified phase-field model for epitaxial growth of multi-scale three-dimensional islands on insulating surfaces 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 21, 页码: 4303 Xu, YC; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/23 ADAPTIVE MESH REFINEMENT  DENDRITIC GROWTH  STRAINED ISLANDS  TIO2(110)  SOLIDIFICATION  COMPUTATION  NUCLEATION  TRANSITION  CLUSTERS  FILMS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS   InN island shape and its dependence on growth condition of molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 25, 页码: 5157 Cao, YG; Xie, MH; Liu, Y; Ng, YF; Wu, HS; Tong, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/18 STRAINED ISLANDS  UNSTABLE GROWTH  QUANTUM DOTS  TRANSITION  GAN(0001)  SURFACE   Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 期号: 7 Qin, L; Teo, KL; Shen, ZX; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 GE QUANTUM DOTS  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  OPTICAL-PROPERTIES  SIGE ISLANDS  SI(001)  PHOTOLUMINESCENCE  MICROSCOPY  CLUSTERS  CONFINEMENT  OVERGROWTH   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Influence of indium composition on the surface morphology of self-organized InxGa1-xAs quantum dots on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 188-191 Li HX; Zhuang QD; Wang ZG; Daniels-Race T 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  STRAINED ISLANDS  DEPOSITION  EVOLUTION  MATRIX