中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [4]
上海微系统与信息技术... [2]
长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2018 [1]
2007 [1]
2004 [1]
2003 [2]
2001 [1]
2000 [1]
更多
学科主题
Crystallog... [1]
Physics, M... [1]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
348.9 nm Intra-Cavity Frequency-Doubling Ultraviolet Laser in Blue Laser Diode Pumped Pr:YLF Crystal
期刊论文
OAI收割
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2018, 卷号: 45, 期号: 12
作者:
Niu, Na
;
Qu, Dapeng
;
Dou, Wei
;
Ren, Guangsheng
;
Zhou, Yang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/09/17
Laser mirrors
Crystal structure
Diodes
Frequency doublers
Lasers
Phase matching
Pumping (laser)
Semiconductor doping
Ultraviolet lasers
YLF lasers
Effects of barrier growth temperature ramp-up time on the photoluminescence of InGaN/GaN quantum wells
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 卷号: 101, 期号: 3
Wang, Y
;
Pei, XJ
;
Xing, ZG
;
Guo, LW
;
Jia, HQ
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2013/09/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
STRUCTURE LASER-DIODES
EXCITON LOCALIZATION
ROOM-TEMPERATURE
LAYER
DOTS
GAN
EMISSION
SHIFT
HETEROSTRUCTURES
Synthesis of semiconductor nanowires by annealing
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 85, 期号: 10, 页码: 1802
Zhi, CY
;
Bai, XD
;
Wang, EG
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2013/09/24
STRUCTURE LASER-DIODES
WIRES
GAAS
The synthesis of highly oriented GaN nanowire arrays
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2003, 卷号: 76, 期号: 4, 页码: 609
Wang, JC
;
Zhan, CZ
;
Li, FG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/09/23
GALLIUM NITRIDE NANOWIRES
STRUCTURE LASER-DIODES
BUILDING-BLOCKS
GROWTH
CARBON
NANOTUBES
MECHANISM
NANORODS
DEVICES
Difference of luminescent properties between strained InAsP/InP and strain-compensated InAsP/InGaAsP MQWs
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 96-102
Lei, HP
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Qi, M
;
Li, AZ
;
Shen, WZ
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
TEMPERATURE-DEPENDENCE
BAND-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
SEMICONDUCTORS
POWER
XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2429-2433
Yuan, JS
;
Chen, GD
;
Qi, M
;
Li, AZ
;
Xu, Z
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2012/03/24
STRUCTURE LASER-DIODES
LIGHT-EMITTING DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
IMPURITY
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 367, 期号: 1-2, 页码: 149
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Kuwano, S
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
;
Tsong, IST
;
Qiu, XG
;
Segawa, Y
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2013/09/17
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
6H-SIC(0001) SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
GAN(0001) SURFACES
LATTICE POLARITY
0001 SURFACES
LASER-DIODES
GROWTH
RECONSTRUCTION
MORPHOLOGY