机构

• 半导体研究所 [16]

采集方式

• iSwitch采集 [8]
• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [16]

发表日期

• 2001 [2]
• 2000 [8]
• 1999 [6]

学科主题

• 光电子学 [4]
• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence properties of self-organized ingaas/gaas quantum dot structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24 作者:  Niu, ZC;  Wang, XD;  Miao, ZH;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas self-organized quantum dots photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Ingaas capping layer   Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：119/4  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence  molecular beam epitaxy  InGaAs capping layer  1.35 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  EMISSION  LAYER   The influence of growth interruption on quantum dot laser 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350 作者:  Wang, H;  Wang, HL;  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized inas quantum dots  Quantum dots laser  Growth interruption  Band-filling   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in inas/in0.53ga0.47as multilayer on inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Lin, F;  Liu, FQ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/in0.53ga0.47as multilayer  Inp substrate  Mbe   Photoluminescence in si and be directly doped self-organized inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 35-38 作者:  Wang, HL;  Yang, FH;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Dopant  Inas/gaas  Self-organized quantum dots  Mbe  Pl   Temperature dependence of the optical properties of inas/gaas self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 作者:  Wang, HL;  Ning, D;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/gaas  Mbe  Pl  Stm  Bimodal size distribution   Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 35-38 Wang HL; Yang FH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 dopant  InAs/GaAs  self-organized quantum dots  MBE  PL  INFRARED-ABSORPTION  INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   Temperature dependence of the optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/GaAs  MBE  PL  STM  bimodal size distribution  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  TRANSITION   The influence of growth interruption on quantum dot laser 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350 Wang H; Wang HL; Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized InAs quantum dots  quantum dots laser  growth interruption  band-filling