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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Heterogeneous Computational Resource Allocation for C-RAN: A Contract-Theoretic Approach 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON SERVICES COMPUTING, 2021, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 2026-2040 作者:  Gao, Mingjin;  Shen, Rujing;  Yan, Shihao;  Li, Jun;  Guan, Haibing   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2022/06/21 Contracts  Resource management  Indium phosphide  III-V semiconductor materials  Base stations  Closed-form solutions  Computer science  Heterogeneous computational resources allocation  virtualized base station  cloud-RAN  cellular networks  contract theory  incentive mechanism   Effects of leakage current on the short circuit current in the dual-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2015, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 8 作者:  Sun, YR(孙玉润);  Li, KL(李奎龙);  Dong, JR(董建荣);  Zeng, XL(曾徐路);  Yu, SZ(于淑珍) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/12/31 Solar cell  Leakage current  Current mismatch  Semiconductor III-V materials  Photoelectronic device   Effects of temperature and substrate miscut on the crystalline quality of metamorphic AlInAs layers grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 381, 期号: 0, 页码: 70-76 作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM(赵勇明) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/13 Atomic force microscopy  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267 作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/01/13 Stresses  X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101 作者:  S.Z. Yu（于淑珍）;  Y.M. Zhao（赵勇明）;  H. Yang(杨辉);  J.R. Dong（董建荣） 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/01/16 X-ray diffraction  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III–V materials   Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily mn-doped (ga,mn)as films with high ferromagnetic transition temperature 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Chen, L.;  Yan, S.;  Xu, P. F.;  Lu, J.;  Wang, W. Z. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Curie temperature  Doping profiles  Electrical resistivity  Ferromagnetic materials  Gallium arsenide  Gallium compounds  Galvanomagnetic effects  Hopping conduction  Iii-v semiconductors  Manganese compounds  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Semimagnetic semiconductors   Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2d inp-based photonic crystals 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096 作者:  Wang, Hailing;  Xing, Mingxin;  Ren, Gang;  Zheng, Wanhua 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Iii-v semiconductors  Indium compounds  Photonic crystals  Plasma materials processing  Semiconductor lasers  Sputter etching   Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende mn-rich mn(ga)as nanoclusters embedded in gaas 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Wang, W. Z.;  Deng, J. J.;  Lu, J.;  Sun, B. Q.;  Wu, X. G. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Curie temperature  Ferromagnetic materials  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Magnetic susceptibility  Magnetisation  Manganese compounds  Nanofabrication  Nanostructured materials  Rkky interaction  Semiconductor thin films  Semimagnetic semiconductors  Spin dynamics   Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: 222114 作者:  Song, HP;  Yang, AL;  Wei, HY;  Guo, Y;  Zhang, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/06/29 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor materials  valence bands  X-ray photoelectron spectra   Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907 作者:  Yang, XL;  Zhu, WX;  Wang, CD;  Fang, H;  Yu, TJ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/06/29 doping profiles  Doppler broadening  ferromagnetic materials  gallium compounds  III-V semiconductors  magnetic thin films  manganese compounds  MOCVD  positron annihilation  semiconductor doping  semiconductor thin films  semimagnetic semiconductors  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors