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机构
上海微系统与信息技术... [5]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2005 [2]
2004 [2]
1996 [1]
学科主题
Chemistry,... [1]
Condensed ... [1]
Electrical... [1]
Engineerin... [1]
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Thermal annealing effects on the structure and electrical properties of Al2O3 gate dielectrics on fully depleted SiGe on insulator
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 1151-1155
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Shen, QW
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
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提交时间:2012/03/24
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
ATOMIC-LAYER DEPOSITION
INTERFACIAL CHARACTERISTICS
STRAINED-SI
THIN-FILMS
ULTRATHIN
SILICON
HETEROSTRUCTURE
OXIDATION
CHANNEL
Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Lin, Q
;
Chu, PK
收藏
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提交时间:2012/03/24
ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
DIFFUSION
OXIDATION
GERMANIUM
SILICON
ALLOYS
SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005
金波
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2012/03/06
SiGe
SOI
Strained Silicon
Investigation of SiGe-on-insulator novel structure
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF RARE EARTHS, 2004, 卷号: 22, 页码: 13-16
Lin, CL
;
Liu, WL
;
An, ZH
;
Di, ZF
;
Zhang, M
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
STRAINED-SI
SUBSTRATE
SILICON
MOSFETS
Ge condensation characterization of SiGe-On-Insulator structure fabricated by separation of oxygen implantation
期刊论文
OAI收割
2004: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, VOLS 1- 3, PROCEEDINGS, 2004, 期号: 0, 页码: 2187-2189
Chen,ZJ
;
Zhang,F
;
Zhang,ZX
;
Bo,J
;
Wang,X
;
Zou,SC
收藏
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提交时间:2012/03/24
STRAINED-SI
MOBILITY ENHANCEMENT
SIMOX TECHNOLOGY
ELECTRON
SILICON
MOSFETS
LAYER
Growth and luminescence of SiGe self-organized dots
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 613
Chen, H
;
Xie, XG
;
Cheng, WQ
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/17
STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
VISIBLE-LIGHT EMISSION
POROUS SILICON
BAND-GAP
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE