机构

• 上海微系统与信息技术... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [2]
• 2004 [5]

学科主题

• Physics, M... [4]
• Chemistry,... [2]
• Engineerin... [2]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 15, 页码: 4638-4643 Shen, J; Liu, B; Song, ZT; Xu, C; Liang, S; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  PHASE-CHANGE  NEGATIVE RESISTANCE  SWITCHING PHENOMENA  GE2SB2TE5 FILM  OXIDE-FILMS  GLASSES  TRANSITION   Effects of Ge doping on the properties of Sb2Te3 phase-change thin films 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 14, 页码: 6125-6129 Yu, JL; Liu, B; Zhang, T; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  CHALCOGENIDE GLASSES  ANTIMONY TELLURIDE  SINGLE-CRYSTALS  MEMORY  GE2SB2TE5  CRYSTALLIZATION  TRANSITION   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR   Nitrogen-implanted Ge2Sb2Te5 film used as multilevel storage media for phase change random access memory 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: L61-L64 Liu, B; Zhang, T; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/12/17 AMORPHOUS THIN-FILMS  TELLURIDE GLASSES  NONVOLATILE  TRANSITION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Nitrogen-implanted Ge2Sb2Te5 film used as multilevel storage media for phase change random access memory 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: L61-L64 Liu, B; Zhang, T; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/12/02 AMORPHOUS THIN-FILMS  TELLURIDE GLASSES  NONVOLATILE  TRANSITION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Gan, FX 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  TELLURIDE GLASSES  HIGH-DENSITY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  GE20TE80-XBIX  AG   Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  AMORPHOUS THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  TELLURIDE GLASSES  MEMORY  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743 Zhang, T; Liu, B; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  TELLURIDE GLASSES  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX