机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [1]
• 生态环境研究中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [2]
• 2007 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 光电子学 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Single-crystalline Fe7S8/Fe3O4 coated zero-valent iron synthesized with vacuum chemical vapor deposition technique: Enhanced reductive, oxidative and photocatalytic activity for water purification 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF HAZARDOUS MATERIALS, 2021, 卷号: 401, 页码: - 作者:  Niu, Hongyun;  Yang, Yongliang;  Zhao, Weijia;  Lv, Hongzhou;  Zhang, Hui   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/22 Vacuum chemical vapor deposition  Fe7S8/Fe3O4@Fe  Reductants  Oxidative activity  Photocatalysts   Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique 期刊论文  OAI收割 guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/06/13 Atomic force microscopy  Atomic spectroscopy  Chemical vapor deposition  Diffraction  Epitaxial growth  Germanium  Raman spectroscopy  Semiconducting silicon compounds  Substrates  Surface morphology  Ultrahigh vacuum  X ray diffraction   High-saturation-power and high-speed ge-on-soi p-i-n photodetectors 期刊论文  iSwitch采集 Ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703 作者:  Xue, Hai-Yun;  Xue, Chun-Lai;  Cheng, Bu-Wen;  Yu, Yu-De;  Wang, Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Germanium  Photodetectors  Saturation power  Silicon-on-insulator (soi) technology  Ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd)   High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703 Xue HY (Xue Hai-Yun); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Yu YD (Yu Yu-De); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/11/01 Germanium  photodetectors  saturation power  silicon-on-insulator (SOI) technology  ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD)   Substrate bias effect on structure of tetrahedral amorphous carbon films by Raman spectroscopy 期刊论文  OAI收割 Diamond and Related Materials, 2007, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1746-1751 F. X. Liu; K. L. Yao; Z. L. Liu 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/13 ta-C films  Substrate bias  sp(3) content  Raman spectroscopy  mixing  bonds  diamond-like carbon  chemical-vapor-deposition  cathodic vacuum-arc  tribological properties  dlc films  mechanical-properties  thin-films  nitride  ultraviolet  coatings   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES