机构

• 半导体研究所 [9]
• 物理研究所 [5]
• 金属研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

• 2011 [6]
• 2010 [2]
• 2009 [3]
• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Vapor-liquid-solid meets vapor-solid growth mechanism for fabricating high quality indium nitride crystallites 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2011, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 3649 Liu, HB; Xie, SS; Cheng, GS 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/23 SELECTIVE-AREA GROWTH  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRE GROWTH  INN  EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE   Vapor-liquid-solid meets vapor-solid growth mechanism for fabricating high quality indium nitride crystallites 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2011, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 3649-3652 作者:  Cheng Guosheng(程国胜);  Cheng Guosheng(程国胜) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/08/24 SELECTIVE-AREA GROWTH  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRE GROWTH  INN  EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103 作者:  Yin HB;  Lin DF;  Hou QF;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2011/07/07 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   An investigation on In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 265103 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Hou QF; Lin DF; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：45/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Structure and optical properties of InN and InAlN films grown by rf magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2010, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 676-681 H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, H. Wang, J. Q. Huang, C. G. Huang, M. L. Wang and Z. H. Deng 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/11/02 fundamental-band gap  electronic-structure  bragg mirrors  thin-films  epitaxy  heterostructures  absorption  alxin1-xn  alloys  alinn   Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132 Sun YP (Sun Yuanping); Sun Y (Sun Yuanping); Cho YH (Cho Yong-Hoon); Wang H (Wang Hui); Wang LL (Wang Lili); Zhang SM (Zhang Shuming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：519/2  |  提交时间：2010/08/17 InN  Burstein-Moss effect  Quantum confinement effect  Activation energy  FUNDAMENTAL-BAND GAP  WELL STRUCTURES  EMISSION  SINGLE   Growth of well-oriented Al(x)In(1-x)N films by sputtering at low temperature 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1-2, 页码: 812-815 C. J. Dong; M. Xu; Q. Y. Chen; F. S. Liu; H. P. Zhou; Y. Wei; H. X. Ji 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/04/13 Al(x)In(1-x)N film  Magnetron sputtering  Crystallinity  Resistance  molecular-beam epitaxy  fundamental-band gap  vapor-phase epitaxy  optical-properties  energy  alinn  inn  aln  nanowires  inxal1-xn   Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009 Zeng SW; Zhang BP; Sun JW; Cai JF; Chen C; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：68/7  |  提交时间：2010/03/08 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INN  ABSORPTION  ALLOYS  ENERGY