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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4 作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/05/14 Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp   Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Zhang, XY(张晓渝);  Tan, RB(谭仁兵);  Sun, JD(孙建东);  Li, XX(李欣幸);  Zhou, Y(周宇) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/31 radio-frequency circuit  high electron mobility transistor   Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   Mapping an on-chip terahertz antenna by a scanning near-field probe and a fixed field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Lu, L;  Sun, JD（孙建东）;  Lewis, RA;  Sun, YF（孙云飞）;  Wu, DM(吴东岷) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2015/12/31 terahertz detector  terahertz antenna  near-field probe  high electron mobility transistor   Research on biomolecule-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor biosensors 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 7 作者:  Wu, DM (吴东岷);  Li, JD (李加东) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/02/03 two-dimensional electron gas  high electron mobility transistor  biosensor  prostate specific antigen   A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749 作者:  Cai, Y(蔡勇);  Zhao, DS(赵德胜);  Qin, H(秦华);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/12/30 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 738-740 作者:  Zhang, YH(张耀辉) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/15 AlGaN/GaN  cutoff frequency  metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT)  thermal oxidized TiO2   Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219 作者:  Zeng, CH(曾春红);  Zhang, BS(张宝顺);  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/01/13 AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356 作者:  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Baoshun Zhang (张宝顺);  Baoshun Zhang (张宝顺);  Hua Qin（秦华） 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)