机构

• 半导体研究所 [7]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2018 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 1999 [2]
• 1998 [2]

学科主题

• 光电子学 [3]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence 期刊论文  OAI收割 Materials, 2018, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 11 作者:  Song, Y.;  Zhang, L. G.;  Zeng, Y. G.;  Qin, L.;  Zhou, Y. L.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaInAs quantum well  metal organic chemical vapor deposition  cathodeluminescence  thermal treatment  segregation  lasers  inp  semiconductors  dislocations  ingaalas  epitaxy  origin  band  Materials Science   Comparison of two kinds of active layers for high-power narrow-stripe distributed feedback laser diodes 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 817-820 作者:  Fu Sheng-Hui;  Song Guo-Feng;  Chen Liang-Hui 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaalas/algaas  Distributed feedback laser diode  Numerical simulation   Comparison of two kinds of active layers for high-power narrow-stripe distributed feedback laser diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 817-820 Fu SH (Fu Sheng-Hui); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 InGaAlAs/AlGaAs   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS   Fabrication of ingaas quantum dots with an underlying ingaalas layer on gaas(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Jiang, WH;  Xu, HZ;  Xu, B;  Wu, J;  Ye, XL 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Ingaas/ingaalas  Adjusting layer  Molecular beam epitaxy  High index   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS   Raman scattering from in1-x-ygaxalyas quaternary alloys 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 1998, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 187-191 作者:  Han, HX;  Wang, ZP;  Li, GH;  Xu, SJ;  Ding, K 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Raman scattering  Quaternary alloys  Ingaalas   Raman scattering from In1-x-yGaxAlyAs quaternary alloys 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 1998, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 187-191 Han HX; Wang ZP; Li GH; Xu SJ; Ding K; Liu NZ; Zhu ZM 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 Raman scattering  quaternary alloys  InGaAlAs