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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 First-principles study of helium incorporation in Pu-La2Zr2O7 pyrochlore 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 2024, 页码: 12 作者:  Liu, Chenguang;  Gao, Rongrong;  Xia, Xiaoyi;  Yang, Kunjie;  Liu, Yuelin   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2024/10/21 first-principles study  He interstitials  irradiation resistance  pyrochlores   Enhanced strength-ductility synergy via high dislocation density-induced strain hardening in nitrogen interstitial CrMnFeCoNi high-entropy alloy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 141, 页码: 184-192 作者:  Li, Huabing;  Han, Yu;  Feng, Hao;  Zhou, Gang;  Jiang, Zhouhua   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2023/05/09 High-entropy alloy  Interstitials  Mechanical properties  First-principles calculations  Stacking fault energy   Density functional study on helium and hydrogen interstitials in silicon carbide 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 页码: 2067-2074 作者:  Cheng, Wei;  Ying, Min-Ju;  Zhang, Feng-Shou;  Zhou, Hong-Yu   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/31 Helium interstitials  Hydrogen interstitials  Ab initio simulation  Silicon carbide  Phonon   First principles study of n-n split interstitial in gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547 作者:  Wang, Zhiguo;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 N-n split interstitials  Gan nanowires  First principles calculation   Nonlinear elastic deformation behaviour of Ti-30Nb-12Zr alloys 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2010, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 54-57 F. Q. Hou; S. J. Li; Y. L. Hao; R. Yang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 Titanium alloys  Interstitials  Metastable phases  Elastic behavior  gum metal  biomedical applications  youngs modulus  superelasticity  mechanism  zr  sn   First principles study of N-N split interstitial in GaN nanowires 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2010, 2010, 卷号: 374, 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547, 4543-4547 作者:  Wang ZG (Wang Zhiguo);  Li JB (Li Jingbo);  Wang, ZG, Univ Elect Sci&Technol China, DeptApplPhys, Chengdu 610054, Peoples R China. 电子邮箱地址: zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/14 N-N split interstitials  N-n Split Interstitials  Gan Nanowires  First Principles Calculation  Semiconductors  Energy  GaN nanowires  First principles calculation  SEMICONDUCTORS  ENERGY   Enhancement of conductivity and transmittance of zno films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: 6 作者:  Cai, P. F.;  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Dong, J. J.;  Yang, X. L. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Carrier density  Carrier mobility  Diffusion  Electrical conductivity  Electrical resistivity  Hydrogen  Ii-vi semiconductors  Impurity states  Interstitials  Light transmission  Plasma materials processing  Semiconductor thin films  Sputter deposition  Vacancies (crystal)  Visible spectra  Wide band gap semiconductors  Zinc compounds   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：82/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   The effects of 3d alloying elements on grain boundary cohesion in gamma-iron: a first principles study on interface embrittlement due to the segregation 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 49, 页码: 8339-8349 R. Yang; R. Z. Huang; Y. M. Wang; H. Q. Ye; C. Y. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/14 phosphorus  adsorption  interstitials  decohesion  magnetism  systems  cluster  metals  boron   Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE