机构

• 半导体研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2010 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [1]
• 1994 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Materials ... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：178/17  |  提交时间：2010/07/05 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE ZNTE  MBE GROWTH  100 GAAS  ZNSE  LAYERS  SURFACE  TEMPERATURE  SUBSTRATE  EPILAYERS   Carrier capture cross-section of nonradiative recombination centres introduced by proton implantation in GaAs 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1325-1328 Guo, XG; Lu, W; Chen, XS; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2011/12/17 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  WAVE BASIS-SET  N-TYPE GAAS  THERMAL-STABILITY  LAYERS  SEMICONDUCTORS  IRRADIATION  DEFECTS   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type gaas surface studied by photoreflectance 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin, P;  Pan, SH;  Li, YG;  Zhang, CZ;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Sulfur passivation  Franz-keldysh oscillations  Undoped-n(+) type gaas  Complex fourier transformation   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：486/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT   Silicon behavior in GaN grown by radiofrequency plasma molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2001, 卷号: 401, 期号: 1-2, 页码: 279-283 Li, W; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/03/24 SI-DOPED GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  PHOTO-LUMINESCENCE  N-TYPE  GAAS  FILMS  TRANSITIONS  NITRIDE  ENERGY   EFFECT OF BIAS ANNEALING ON AU/N-SI SCHOTTKY-BARRIER WITH HYDROGEN INCORPORATION 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 9, 页码: 5592-5594 M. H. Yuan; Y. Q. Jia; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/04/14 n-type gaas  crystalline semiconductors  ti/n-gaas  states  diodes