机构

• 半导体研究所 [4]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Physics [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of growth conditions on the gan thin film by sputtering deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271 作者:  Zhang, C. G.;  Bian, L. F.;  Chen, W. D.;  Hsu, C. C. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Phase equilibria  Radio-frequency magnetron sputtering  Sputtering  Gallium compounds  Gallium nitride  Semiconducting gallium compounds  Semiconducting iii-v materials   Microstructures and strain relaxation in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2004, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 989-998 作者:  Tan, WS;  Shen, B;  Sha, H;  Cai, HL;  Wu, XS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 high resolution X-ray diffraction  metal organic chemical vapor deposition  reciprocal space mapping  semiconducting III-V nitride  strain relaxation  relaxation line model   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：214/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：114/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS