机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2022 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/05/12 Hrxrd  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Semipolar   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：92/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 作者:  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Huo, Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Hvpe  Gan  Sapphire  Nonpolar  Semipolar   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   High Quality, Mass-Producible Semipolar GaN and InGaN Light-Emitting Diodes Grown on Sapphire 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 作者:  Song, Jie;  Han, Jung   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30 heteroepitaxy  light-emitting diodes  metal-organic chemical vapor deposition  semipolar GaN  stacking faults