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• 半导体研究所 [24]

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• 期刊论文 [24]

发表日期

• 2011 [6]
• 2010 [1]
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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1) 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mocvd  Si(111)  Aln   High-reflectivity aln/gan distributed bragg reflectors grown on sapphire substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Wu, C. M.;  Zhang, B. P.;  Shang, J. Z.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Wei Meng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Pan Xu 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan, Xu;  Wei, Meng;  Yang, Cuibai;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/05/12 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon   Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111) 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Wang Hui;  Liang Hu;  Wang Yong;  Ng Kar-Wei;  Deng Dong-Mei 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization of thick gan films directly grown on wet-etching patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 4 作者:  Hu Qiang;  Wei Tong-Bo;  Duan Rui-Fei;  Yang Jian-Kun;  Huo Zi-Qiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)