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  • 1986 [21]
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1986292983A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:  
SHIGE NORIYUKI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986255085A, 申请日期: 1986-11-12, 公开日期: 1986-11-12
作者:  
OOTA ATSUSHI;  KOJIMA KEISUKE;  HISAMA KAZUO
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1986194886A, 申请日期: 1986-08-29, 公开日期: 1986-08-29
作者:  
HANEDA MAKOTO;  SEKO ICHIRO;  KARITA HIDETAKA
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986188991A, 申请日期: 1986-08-22, 公开日期: 1986-08-22
作者:  
OTANI JIYUN;  FUJITA TOSHIHIRO;  MATSUDA KENICHI;  SERIZAWA AKIMOTO
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986179590A, 申请日期: 1986-08-12, 公开日期: 1986-08-12
作者:  
WADA MASARU;  ITO KUNIO;  SUGINO TAKASHI;  SHIMIZU YUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986174789A, 申请日期: 1986-08-06, 公开日期: 1986-08-06
作者:  
ITO TATSUYA
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor photoamplifying element 专利  OAI收割
专利号: JP1986168982A, 申请日期: 1986-07-30, 公开日期: 1986-07-30
作者:  
KOBAYASHI UICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser diode 专利  OAI收割
专利号: JP1986168984A, 申请日期: 1986-07-30, 公开日期: 1986-07-30
作者:  
OSAWA YOICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor device having superlattice structure 专利  OAI收割
专利号: US4603340, 申请日期: 1986-07-29, 公开日期: 1986-07-29
作者:  
DIL, JAN G.
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
Inspection method of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986135183A, 申请日期: 1986-06-23, 公开日期: 1986-06-23
作者:  
OOSAKO TAKASHI
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31