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机构
西安光学精密机械研... [19]
工程热物理研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [21]
内容类型
专利 [19]
期刊论文 [2]
发表日期
1986 [21]
学科主题
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共21条,第1-10条
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发表日期:1986
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Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1986292983A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:
SHIGE NORIYUKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986255085A, 申请日期: 1986-11-12, 公开日期: 1986-11-12
作者:
OOTA ATSUSHI
;
KOJIMA KEISUKE
;
HISAMA KAZUO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1986194886A, 申请日期: 1986-08-29, 公开日期: 1986-08-29
作者:
HANEDA MAKOTO
;
SEKO ICHIRO
;
KARITA HIDETAKA
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986188991A, 申请日期: 1986-08-22, 公开日期: 1986-08-22
作者:
OTANI JIYUN
;
FUJITA TOSHIHIRO
;
MATSUDA KENICHI
;
SERIZAWA AKIMOTO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986179590A, 申请日期: 1986-08-12, 公开日期: 1986-08-12
作者:
WADA MASARU
;
ITO KUNIO
;
SUGINO TAKASHI
;
SHIMIZU YUICHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986174789A, 申请日期: 1986-08-06, 公开日期: 1986-08-06
作者:
ITO TATSUYA
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor photoamplifying element
专利
OAI收割
专利号: JP1986168982A, 申请日期: 1986-07-30, 公开日期: 1986-07-30
作者:
KOBAYASHI UICHIRO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser diode
专利
OAI收割
专利号: JP1986168984A, 申请日期: 1986-07-30, 公开日期: 1986-07-30
作者:
OSAWA YOICHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor device having superlattice structure
专利
OAI收割
专利号: US4603340, 申请日期: 1986-07-29, 公开日期: 1986-07-29
作者:
DIL, JAN G.
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提交时间:2019/12/26
Inspection method of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986135183A, 申请日期: 1986-06-23, 公开日期: 1986-06-23
作者:
OOSAKO TAKASHI
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提交时间:2019/12/31