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• 西安光学精密机械研... [15]

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• OAI收割 [15]

内容类型

• 专利 [15]

发表日期

• 1986 [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1986     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1986268089A, 申请日期: 1986-11-27, 公开日期: 1986-11-27 作者:  TANAKA TOSHIO;  IKUWA YOSHITO;  KUME ICHIRO;  TAKAMIYA SABURO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Two-element quantum well structure semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986222190A, 申请日期: 1986-10-02, 公开日期: 1986-10-02 作者:  KATOU YOSHITAKE   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: JP1986222191A, 申请日期: 1986-10-02, 公开日期: 1986-10-02 作者:  IKUWA YOSHITO;  TAKAMIYA SABURO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1986220393A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30 作者:  KINOSHITA HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor light-emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1986220392A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30 作者:  KAWADA HATSUMI   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986214494A, 申请日期: 1986-09-24, 公开日期: 1986-09-24 作者:  IKEDA TOSHIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986182294A, 申请日期: 1986-08-14, 公开日期: 1986-08-14 作者:  UEHARA KUNIO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Compound semiconductor device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986156727A, 申请日期: 1986-07-16, 公开日期: 1986-07-16 作者:  KANO HIROYUKI;  HASHIMOTO MASAFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Photosemiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1986137383A, 申请日期: 1986-06-25, 公开日期: 1986-06-25 作者:  HAYAKAWA TOSHIRO;  SUYAMA NAOHIRO;  TAKAHASHI KOUSEI;  YAMAMOTO SABURO   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986134092A, 申请日期: 1986-06-21, 公开日期: 1986-06-21 作者:  USUI AKIRA   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18