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采集方式
OAI收割 [85]
内容类型
专利 [75]
期刊论文 [9]
学位论文 [1]
发表日期
1986 [85]
学科主题
天文学 [1]
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浏览/检索结果:
共85条,第1-10条
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发表日期:1986
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Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986296783A, 申请日期: 1986-12-27, 公开日期: 1986-12-27
作者:
OTOSHI SO
;
UOMI KAZUHISA
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
KAYANE NAOKI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser structure
专利
OAI收割
专利号: US4631729, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:
GOODWIN, FRANK E.
;
LAW, HSIANG-YI D.
;
MORRISON, CHARLES B.
;
FIGUEROA, LUIS
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1986285784A, 申请日期: 1986-12-16, 公开日期: 1986-12-16
作者:
MIYAUCHI NOBUYUKI
;
YAMAMOTO OSAMU
;
HAYASHI HIROSHI
;
YAMAMOTO SABURO
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提交时间:2020/01/18
Molecular-beam epitaxial growth device
专利
OAI收割
专利号: JP1986278130A, 申请日期: 1986-12-09, 公开日期: 1986-12-09
作者:
MIURA SHUICHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986271886A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02
作者:
NAKANO YOSHINORI
;
YOSHIDA JUNICHI
;
UEHARA SHINGO
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986269389A, 申请日期: 1986-11-28, 公开日期: 1986-11-28
作者:
MEGURO MASAO
;
SUZUKI MITSUO
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提交时间:2020/01/13
Light-beam scanning type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986268087A, 申请日期: 1986-11-27, 公开日期: 1986-11-27
作者:
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: EP0202089A2, 申请日期: 1986-11-20, 公开日期: 1986-11-20
作者:
THORNTON, ROBERT L.
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提交时间:2020/01/18
Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe
专利
OAI收割
专利号: US4624000, 申请日期: 1986-11-18, 公开日期: 1986-11-18
作者:
STREIFER, WILLIAM
;
SCIFRES, DONALD R.
;
BURNHAM, ROBERT D.
;
PAOLI, THOMAS L.
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser oscillation device
专利
OAI收割
专利号: JP1986255087A, 申请日期: 1986-11-12, 公开日期: 1986-11-12
作者:
KURODA KENICHI
;
KOJIMA KEISUKE
;
OOTA ATSUSHI
;
HISAMA KAZUO
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提交时间:2019/12/31