机构

• 半导体研究所 [19]

采集方式

• OAI收割 [19]

内容类型

• 期刊论文 [18]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [19]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 Wei, XC; Zhao, YW; Dong, ZY; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 defects  X-ray diffraction  growth from vapor  oxides  semiconducting II-VI materials   Generation and suppression of deep level defects in InP 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479 Zhao YW (Zhao You-Wen); Dong ZY (Dong Zhi-Yuan) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 characterization  point defects  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  semiconducting indium compounds  semiconducting ternary compounds  1.55 MU-M  QUANTUM-WELLS  TEMPERATURE  GAAS   Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation 期刊论文  OAI收割 international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516 Zhu, XF (Zhu, Xianfang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 nanocavity  nanoparticle  nanoinstabilities  open volume defect  thermodynamic nonequilibrium  nanosize  nanotime  energetic beam irradiation  amorphous structure  nanocurvature  surface energy  WALLED CARBON NANOTUBES  AMORPHOUS-SILICON  ION IRRADIATION  PREFERENTIAL AMORPHIZATION  IN-SITU  INSTABILITY  BEAM  IMPLANTATION  CAVITIES  POINT   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating InP wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574 Dong HW; Zhao YW; Lu HP; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  ELECTRICAL-PROPERTIES  ROOM-TEMPERATURE  UNIFORMITY  PRESSURE  INGOT   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE