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  • 西安光学精密机械研... [15]
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Multi-fractal heatsink system and method 专利  OAI收割
专利号: US20190021186A1, 申请日期: 2019-01-17, 公开日期: 2019-01-17
作者:  POLTORAK, ALEXANDER
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Laser having active region formed above substrate 专利  OAI收割
专利号: US20040001521A1, 申请日期: 2004-01-01, 公开日期: 2004
作者:  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN;  BOUR, DAVID
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Semiconductor laser and method of production thereof 专利  OAI收割
专利号: US20020080835A1, 申请日期: 2002-06-27, 公开日期: 2002-06-27
作者:  MITOMO, JUGO;  NARUI, HIRONOBU
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Buried heterostructure laser with quaternary current blocking layer 专利  OAI收割
专利号: US6028875, 申请日期: 2000-02-22, 公开日期: 2000-02-22
作者:  KNIGHT, DOUGLAS GORDON;  WU, CHUNMENG
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低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法 专利  OAI收割
专利号: JP2870084B2, 申请日期: 1999-01-08, 公开日期: 1999-03-10
作者:  エリック·エス·ジョンソン
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Semiconductor laser and production method thereof 专利  OAI收割
专利号: EP0622879A3, 申请日期: 1995-02-15, 公开日期: 1995-02-15
作者:  NAGAI, YUTAKA, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
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Radiation-emitting semiconductor device and method of manufacturing same 专利  OAI收割
专利号: US5296717, 申请日期: 1994-03-22, 公开日期: 1994-03-22
作者:  VALSTER, ADRIAAN;  LIEDENBAUM, COEN T. H. F.
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Production of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992257285A, 申请日期: 1992-09-11, 公开日期: 1992-09-11
作者:  OTA KATSUSHI;  IIDA CHIKAHIRO
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利  OAI收割
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1984141282A, 申请日期: 1984-08-13, 公开日期: 1984-08-13
作者:  MURAKAMI TAKASHI;  TANAKA TOSHIO;  KAKIMOTO SHIYOUICHI;  MIHASHI YUTAKA;  TAKAMIYA SABUROU
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