机构

• 微电子研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 会议论文 [3]
• 期刊论文 [3]
• 专利 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [5]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25 作者:  龙世兵;  王国明;  张美芸;  李阳;  许定林   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/06 The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/05/19 A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2015 作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/24 Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Liu M(刘明);  Liu Q(刘琦)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14 Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang MY(张美芸);  Lv HB(吕杭炳);  Liu M(刘明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/14 Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation 期刊论文  OAI收割 Appl. Phys. Lett., 2015 作者:  Xu DL(许定林);  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/05/24 Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安);  Zhang MY(张美芸);  Li Y(李阳)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/24