机构

• 半导体研究所 [11]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2010 [12]

学科主题

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films 期刊论文  iSwitch采集 Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075 作者:  Zhu, Feng;  Dong, Shan;  Yang, Guandong 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Fe-doped zns  First principles calculation  Ferromagnetic properties  High curie temperature   High characteristic temperature ingaasp/inp tunnel injection multiple-quantum-well lasers 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 3 作者:  Wang Yang;  Qiu Ying-Ping;  Pan Jiao-Qing;  Zhao Ling-Juan;  Zhu Hong-Liang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Abnormal photoabsorption in high resistance gan epilayer 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051 作者:  Liu Wen-Bao;  Zhao De-Gang;  Jiang De-Sheng;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Exciton  Photovoltaic spectroscopy  Msm  Photoresponsivity   Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 作者:  Hao, Ruiting;  Deng, Shukang;  Shen, Lanxian;  Yang, Peizhi;  Tu, Jielei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/aluminum antimonide  Superlattices  Molecular beam epitaxy   Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Electron gas  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Mocvd  Polarisation  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Wide band gap semiconductors   Effects of gan capping on the structural and the optical properties of inn nanostructures grown by using mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132 作者:  Sun, Yuanping;  Sun, Yuanping;  Cho, Yong-Hoon;  Wang, Hui;  Wang, Lili 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Burstein-moss effect  Quantum confinement effect  Activation energy   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 作者:  Liu, B.;  Zhang, Z.;  Zhang, R.;  Fu, D. Y.;  Xie, Z. L. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Recent progress in single chip white light-emitting diodes with the ingan underlying layer 期刊论文  iSwitch采集 Science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 445-448 作者:  Wang XiaoLi;  Wang XiaoHui;  Jia HaiQiang;  Xing ZhiGang;  Chen Hong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/09 Gan  Ingan  White light led  Mocvd   Impact of thickness of gan buffer layer on properties of aln/gan distributed bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316 作者:  Wu ChaoMin;  Shang JingZhi;  Zhang BaoPing;  Zhang JiangYong;  Yu JinZhong 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd  Dbr  High-reflectivity  Nitride