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采集方式
OAI收割 [61]
iSwitch采集 [12]
内容类型
期刊论文 [73]
发表日期
2010 [73]
学科主题
光电子学 [15]
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Physics [3]
Physics, M... [3]
Chemistry,... [1]
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浏览/检索结果:
共73条,第1-10条
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限定条件
发表日期:2010
内容类型:期刊论文
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
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75
80
85
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Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:
Qiu YX (邱永鑫)
;
Huang J (黄俊)
;
Xu K (徐科)
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浏览/下载:185/63
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提交时间:2011/03/13
Semiconductors
Thin films
Surfaces
Luminescence
Nonpolar
GaN
Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films
期刊论文
iSwitch采集
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
作者:
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
;
Yang, Guandong
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提交时间:2019/05/12
Fe-doped zns
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High curie temperature
Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics Letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11
作者:
Wang HB (王怀兵)
;
Yang H (杨辉)
;
Zhang SM (张书明)
;
Ji L
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提交时间:2011/03/13
High characteristic temperature ingaasp/inp tunnel injection multiple-quantum-well lasers
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 3
作者:
Wang Yang
;
Qiu Ying-Ping
;
Pan Jiao-Qing
;
Zhao Ling-Juan
;
Zhu Hong-Liang
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提交时间:2019/05/12
The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
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提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies
Abnormal photoabsorption in high resistance gan epilayer
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
作者:
Liu Wen-Bao
;
Zhao De-Gang
;
Jiang De-Sheng
;
Liu Zong-Shun
;
Zhu Jian-Jun
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提交时间:2019/05/12
Gan
Exciton
Photovoltaic spectroscopy
Msm
Photoresponsivity
Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers
期刊论文
iSwitch采集
Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
作者:
Hao, Ruiting
;
Deng, Shukang
;
Shen, Lanxian
;
Yang, Peizhi
;
Tu, Jielei
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提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/aluminum antimonide
Superlattices
Molecular beam epitaxy
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Effects of gan capping on the structural and the optical properties of inn nanostructures grown by using mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
作者:
Sun, Yuanping
;
Sun, Yuanping
;
Cho, Yong-Hoon
;
Wang, Hui
;
Wang, Lili
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提交时间:2019/05/12
Inn
Burstein-moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
作者:
Liu, B.
;
Zhang, Z.
;
Zhang, R.
;
Fu, D. Y.
;
Xie, Z. L.
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提交时间:2019/05/12