机构

• 半导体研究所 [20]

采集方式

• OAI收割 [17]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [2]
• 2009 [1]
• 2008 [4]
• 2007 [2]
• 2006 [5]
• 2005 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [13]
• 光电子学 [3]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition 期刊论文  OAI收割 surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456 作者:  Tan HR;  Zhang XW;  You JB;  Fan YM 收藏  |  浏览/下载：262/33  |  提交时间：2010/03/08 Cubic boron nitride  Stress relaxation  Ion beam assisted deposition  Fourier transformed infrared spectroscopy   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon   Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN  high electron mobility transistor (HEMT)  Si (111)   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon   Influence of the aln interlayer crystal quality on the strain evolution of gan layer grown on si (111) 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Liu, W.;  Zhu, J. J.;  Jiang, S.;  Yang, H.;  Wang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of the AlN interlayer crystal quality on the strain evolution of GaN layer grown on Si (111) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011914 Liu W; Zhu JJ; Jiang S; Yang H; Wang JF 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN