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• 上海技术物理研究所 [41]

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• OAI收割 [41]

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发表日期

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学科主题

• 红外基础研究 [5]

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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127 作者:  Wang Y   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20 QUANTUM-WELLS  GAASSB  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  WAVELENGTH  DEPENDENCE  LAYERS   Design and Implementation of Ultraviolet Imager for Corona Discharge Detection Based on Solar-Blind AlGaN Focal Plane Arrays 会议论文  OAI收割 作者:  Wang JQ;  Li XJ;  Wang L;  Xie J;  Zhang Y   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/11/20 AlGaN  UV  ultraviolet image  corona discharge   Design of Ultra-low-power Readout Circuit for UV GaN Focal Plane Array 会议论文  OAI收割 作者:  Li XJ;  Wang JQ;  Xie J;  Wang L;  Zhang Y   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/11/20 Low power  CTIA  ROIC  UV GaN FPA  Snapshot  IWR  ITR   Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector 期刊论文  OAI收割 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4 作者:  Huang B;  Xu JT;  Wang L;  Zhang Y;  Li XY   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  Ultraviolet photodetector  Simulation  Responsivity   Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches 期刊论文  OAI收割 J. Electron. Mater, 2013, 卷号: 42, 期号: 11 Z.H. YE; W.D. HU; W. LEI; W. LU; L. HE; L. YANG; P. ZHANG; Y. HUANG; C. LIN; C.H. SUN; X.N. HU; R.J. DING; X.S. CHEN 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/11 Mercury cadmium telluride (HgCdTe)  processing-induced side-wall damage  inductively coupled plasma (ICP)  high etching selectivity   Investigation on optical properties of NiMn2O4 films by spectroscopic ellipsometry 期刊论文  OAI收割 Solid State Commun., 2013, 卷号: 159, 期号: 0 作者:  L.B.Zhang Y.Hou W.Zhou Y.Q.Gao J.Wu Z.M.Huangn J.H.Chu   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/11/10 1nimn2o4  2oxidation  3opticalproperties  4spectroscopicellipsometry   Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 J.Alloy.Compd, 2013, 卷号: 580, 期号: 82 Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/11/10 Galliumarsenide  Nanowire  Molecularbeamepitaxy  Microstructure   Effects of structure distortion on optical phonon properties of crystalline beta-BaTeMo2O9-A novel nonlinear optical material: Infrared and Raman spectra as well as first-principles calculations Raman spectra as well as first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 114, 期号: 23 作者:  S.T.Zhou Y.Huang W.Y.Qiu Y.L.Li S.M.He J.J.Zhang B.Zhang X.S.Chen X.T.TaoandW.Lu   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 Phonons  Ramanspectra  Grouptheory  Reflectivity  Infraredspectra   Investigation of Radiation Collection by InSb Infrared Focal-Plane Arrays with Micro-optic Structures 期刊论文  OAI收割 J ELECTRON MATER, 2013, 卷号: 42, 期号: 11 N.GUO W.D.HU 1 X.S.CHEN W.LEI Y.Q.LV X.L.ZHANG J.J.SI andW.LU 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/11/10 InSbinfraredfocal-planearrays  microlens  micro-optic  structure  response  crosstalk   Efficiency enhancement of blue InGaN/GaN light-emitting diodes with an AlGaN-GaN-AlGaN electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 9 作者:  Xia, CS;  Li, ZMS;  Lu, W;  Zhang, ZH;  Sheng, Y   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/18