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机构
  • 微电子研究所 [53]
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  • 2018 [53]
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浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助

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一种电路仿真方法及装置 专利  OAI收割
专利号: CN201610466018.X, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-11-16
作者:  王林飞;  罗家俊;  韩郑生;  刘海南;  陈丽坤
  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/03/01
Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface 期刊论文  OAI收割
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Wang WW(王文武);  Zhou LX(周丽星);  Wang XL(王晓磊);  Xiang JJ(项金娟)
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/20
Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文  OAI收割
Chinese physics B, 2018
作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙)
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/12
A Base Resistance Controlled Thyristor with N-type Buried Layer to Suppress the Snapback Phenomenon 会议论文  OAI收割
作者:  Hu F(胡飞);  Song LM(宋李梅);  Li B(李博);  Wang LX(王立新);  Luo JJ(罗家俊)
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/13
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/05/20
Low-Temperature Performance of Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double MgO-Interface Free Layer 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Magnetics, 2018
作者:  Wang LZ(王乐知);  Hu YP(胡艳鹏)
  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/20
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/20
Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018
作者:  Han ZS(韩郑生);  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Cui Y(崔岩);  Li B(李博)
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27
A Single Event Upset Tolerant Latch Design 会议论文  OAI收割
作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割
作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)
  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13